深圳市泰德蘭電子有限公司
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詳細(xì)摘要： CQN7544一般的描述:?的溝槽功率MOSFET技術(shù)30V?4.5VGS時(shí)RDS(on)非常低?門電荷低?高電流能力?RoHS和無鹵素兼容CQN7544應(yīng)用程...
產(chǎn)品型號：重慶萬國CQN7544 MOS管所在地：更新時(shí)間：2022-03-22 在線留言
詳細(xì)摘要： CQN7804一般的描述:CQN7804被設(shè)計(jì)用來提供高效率同步降壓功率級，優(yōu)化布局空間利用率
產(chǎn)品型號：重慶萬國CQN7804MOS管所在地：更新時(shí)間：2022-03-22 在線留言
詳細(xì)摘要： CQN7934一般的描述:?的溝槽功率MOSFET技術(shù)?4.5VGS時(shí)RDS(on)非常低?門電荷低?高電流能力?RoHS和無鹵素兼容CQN7934產(chǎn)品應(yīng)用:?...
產(chǎn)品型號：重慶萬國CQN7934規(guī)格書所在地：更新時(shí)間：2022-03-22 在線留言
詳細(xì)摘要： CQNE36132一般的描述:?底源技術(shù)?RDS(ON)非常低?高電流能力?RoHS和無鹵素兼容CQNE36132應(yīng)用領(lǐng)域：?PC、服務(wù)器中的DC/DC轉(zhuǎn)換器?...
產(chǎn)品型號：重慶萬國CQNE36132規(guī)格書所在地：更新時(shí)間：2022-03-22 在線留言
詳細(xì)摘要： CQNR21357一般的描述:?的*塹壕技術(shù)-30V?低RDS(上)?高電流能力?RoHS和無鹵素兼容CQNR21357應(yīng)用領(lǐng)域：?筆記本交流負(fù)載開關(guān)?電池保護(hù)...
產(chǎn)品型號：重慶萬國CQNR21357規(guī)格書所在地：更新時(shí)間：2022-03-22 在線留言
詳細(xì)摘要： CQT32374C一般的描述:?溝槽功率MOSFET技術(shù)30V?低RDS(上)?低柵極電荷?高電流能力CQT32374C應(yīng)用領(lǐng)域：?MotorDrive?Inv...
產(chǎn)品型號：重慶萬國CQT32374C規(guī)格書所在地：更新時(shí)間：2022-03-22 在線留言
詳細(xì)摘要： CQTL66912一般的描述:?溝槽功率MOSFET-AlphaSGTTM技術(shù)100V?低RDS(ON)和廣泛安全操作的組合面積(SOA)?較高的涌入電流
產(chǎn)品型號：重慶萬國CQTL66912規(guī)格書所在地：更新時(shí)間：2022-03-22 在線留言
詳細(xì)摘要： CQT5B65M1一般的描述:?的AlphaIGBT(軟件)技術(shù)?650V擊穿電壓?非常快速和軟恢復(fù)自由的二極管?高效的開關(guān)di/dt可控性?低VCE(SAT)...
產(chǎn)品型號：重慶萬國CQT5B65M1規(guī)格書所在地：更新時(shí)間：2022-03-22 在線留言
詳細(xì)摘要： CQT32376CL一般的描述:?溝槽功率MOSFET技術(shù)30V?低RDS(上)?低柵極電荷?高電流能力?RoHS和無鹵素兼容CQT32376CL應(yīng)用領(lǐng)域：?馬...
產(chǎn)品型號：重慶萬國CQT32376CL規(guī)格書所在地：更新時(shí)間：2022-03-22 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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